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元件参数资料
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参数目录49891
> DMN3033LSN-7 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
型号:
DMN3033LSN-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN3033LSN-7 PDF
产品变化通告
Wire Change 23/May/2008
Bond Wire Change 11/Nov/2011
产品目录绘图
SC-59 Package Top
SC-59 Package Side
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
755pF @ 10V
功率 - 最大
1.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SC-59-3
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMN3033LSNDITR
查看DMN3033LSN-7代理商
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